HM3710 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM3710
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 170 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 57 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 95 nC
Tiempo de subida (tr): 55 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3710
HM3710 Datasheet (PDF)
hm3710.pdf
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)
hm3710k.pdf
HM3710K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3710K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)
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