HM3710. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3710

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HM3710

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3710 даташит

 ..1. Size:575K  cn hmsemi
 hm3710.pdf pdf_icon

HM3710

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 0.1. Size:778K  cn hmsemi
 hm3710k.pdf pdf_icon

HM3710

HM3710K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3710K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

Другие IGBT... HM3422A, HM3426B, HM35N03D, HM35N03Q, HM35P03, HM35P03D, HM35P03K, HM35P04D, IRFP260, HM3710K, HM3800D, HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A