HM3710K Todos los transistores

 

HM3710K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3710K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 57 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HM3710K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  cn hmsemi
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HM3710K

HM3710K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3710K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 8.1. Size:575K  cn hmsemi
 hm3710.pdf pdf_icon

HM3710K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

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History: SWNB4N65DA | BUK961R4-30E | YJD80N03A | HRLP40N04K | APT50M80B2VRG | IPG20N04S4-08 | APT50M80B2VFRG

 

 
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