Справочник MOSFET. HM3710K

 

HM3710K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3710K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 57 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для HM3710K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3710K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:778K  cn hmsemi
 hm3710k.pdf pdf_icon

HM3710K

HM3710K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3710K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

 8.1. Size:575K  cn hmsemi
 hm3710.pdf pdf_icon

HM3710K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =57A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM3426B , HM35N03D , HM35N03Q , HM35P03 , HM35P03D , HM35P03K , HM35P04D , HM3710 , 2SK3568 , HM3800D , HM3808 , HM3N10MR , HM3N10PR , HM3N120A , HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F .

History: SIR438DP | 2SK2679 | HYG025N06LS1P | IXFP60N25X3 | IXTP160N085T | AP9966GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.