HM3800D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3800D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

 Búsqueda de reemplazo de HM3800D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM3800D datasheet

 ..1. Size:873K  cn hmsemi
 hm3800d.pdf pdf_icon

HM3800D

HM3800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. G2 G1 S2 S1 GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = 30V,ID = 5.8A RDS

 9.1. Size:1252K  cn hmsemi
 hm3808.pdf pdf_icon

HM3800D

Pin Description Features VDSS=80V VGSS= 25V ID=150A RDS(ON)=5m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter Syst

Otros transistores... HM35N03D, HM35N03Q, HM35P03, HM35P03D, HM35P03K, HM35P04D, HM3710, HM3710K, SPP20N60C3, HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I