HM3800D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3800D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для HM3800D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3800D даташит

 ..1. Size:873K  cn hmsemi
 hm3800d.pdf pdf_icon

HM3800D

HM3800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. G2 G1 S2 S1 GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = 30V,ID = 5.8A RDS

 9.1. Size:1252K  cn hmsemi
 hm3808.pdf pdf_icon

HM3800D

Pin Description Features VDSS=80V VGSS= 25V ID=150A RDS(ON)=5m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter Syst

Другие IGBT... HM35N03D, HM35N03Q, HM35P03, HM35P03D, HM35P03K, HM35P04D, HM3710, HM3710K, SPP20N60C3, HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I