HM3808 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3808

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM3808 datasheet

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HM3808

Pin Description Features VDSS=80V VGSS= 25V ID=150A RDS(ON)=5m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter Syst

 9.1. Size:873K  cn hmsemi
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HM3808

HM3800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. G2 G1 S2 S1 GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = 30V,ID = 5.8A RDS

Otros transistores... HM35N03Q, HM35P03, HM35P03D, HM35P03K, HM35P04D, HM3710, HM3710K, HM3800D, SKD502T, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, HM3N30PR