Справочник MOSFET. HM3808

 

HM3808 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3808
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3808 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1252K  cn hmsemi
 hm3808.pdf pdf_icon

HM3808

Pin Description Features VDSS=80VVGSS=25VID=150A RDS(ON)=5m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter Syst

 9.1. Size:873K  cn hmsemi
 hm3800d.pdf pdf_icon

HM3808

HM3800DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM3800D uses advanced trench technology to provide D2D1excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. G2G1S2S1GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS = 30V,ID = 5.8A RDS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.