HM3N30PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM3N30PR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3N30PR

HM3N30PR Datasheet (PDF)

..1. Size:1791K cn hmsemi
hm3n30pr.pdf

HM3N30PR Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 300 V HM3N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

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History: IRFU2407PBF

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: