HM3N30PR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3N30PR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm

Encapsulados: SOT89

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HM3N30PR datasheet

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HM3N30PR

HM3N30PR Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 300 V HM3N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

Otros transistores... HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, AON6380, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030