HM3N30PR Todos los transistores

 

HM3N30PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3N30PR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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HM3N30PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1791K  cn hmsemi
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HM3N30PR

HM3N30PR Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 300 V HM3N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

Otros transistores... HM3808 , HM3N10MR , HM3N10PR , HM3N120A , HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , IRLZ44N , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 .

History: SM1A06NSU | WMM53N65C4 | FDU5N60NZTU | PSMN1R8-40YLC | NTMS4101PR2 | UPA2451C

 

 
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