HM3N30PR - аналоги и даташиты транзистора

 

HM3N30PR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM3N30PR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для HM3N30PR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N30PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1791K  cn hmsemi
 hm3n30pr.pdf pdf_icon

HM3N30PR

HM3N30PR Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 300 V HM3N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

Другие MOSFET... HM3808 , HM3N10MR , HM3N10PR , HM3N120A , HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , IRLZ44N , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 .

History: IRFU1205PBF

 

 
Back to Top

 


 
.