HM3N30PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3N30PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HM3N30PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N30PR даташит

 ..1. Size:1791K  cn hmsemi
 hm3n30pr.pdf pdf_icon

HM3N30PR

HM3N30PR Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 300 V HM3N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD (TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

Другие IGBT... HM3808, HM3N10MR, HM3N10PR, HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, AON6380, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030