HM3N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM3N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 36 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 17.5 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3N70
HM3N70 Datasheet (PDF)
hm3n70.pdf
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