Справочник MOSFET. HM3N70

 

HM3N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для HM3N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  cn hmsemi
 hm3n70.pdf pdf_icon

HM3N70

N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETRoHSRoHS RoHSRoHSFEATURESFEATURESFEATURESFEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE

Другие MOSFET... HM3N120A , HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , IRFP450 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K .

History: SFP9640L | IRFB4615 | FML16N50ES | IPD082N10N3 | IRLIB9343PBF | ST1002 | HMS8N65I

 

 
Back to Top

 


 
.