HM3N70. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3N70

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

Аналог (замена) для HM3N70

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N70 даташит

 ..1. Size:358K  cn hmsemi
 hm3n70.pdf pdf_icon

HM3N70

Другие IGBT... HM3N120A, HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, NCEP15T14, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030, HM4030D, HM40N04D, HM40N04K