HM3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 18 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3N80

HM3N80 Datasheet (PDF)

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hm3n80.pdf

HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c

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Liste

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