HM3N80 Todos los transistores

 

HM3N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de HM3N80 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  cn hmsemi
 hm3n80.pdf pdf_icon

HM3N80

HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c

Otros transistores... HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , 2N7002 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D .

History: HMS21N60F | RD3G400GN | RD3L140SP | HMS21N65A

 

 
Back to Top

 


 
.