HM3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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HM3N80 datasheet

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HM3N80

HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFET General Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25 ) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c

Otros transistores... HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, AON7506, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030, HM4030D, HM40N04D, HM40N04K, HM40N06D