HM3N80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3N80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HM3N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N80 даташит

 ..1. Size:950K  cn hmsemi
 hm3n80.pdf pdf_icon

HM3N80

HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFET General Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25 ) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c

Другие IGBT... HM3N120F, HM3N150A, HM3N150F, HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, AON7506, HM3N90F, HM3N90I, HM3P10MR, HM4030, HM4030D, HM40N04D, HM40N04K, HM40N06D