HM3N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM3N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 18 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
HM3N80 Datasheet (PDF)
..1. Size:950K cn hmsemi
hm3n80.pdf
hm3n80.pdf
HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
