Справочник MOSFET. HM3N80

 

HM3N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM3N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HM3N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  cn hmsemi
 hm3n80.pdf pdf_icon

HM3N80

HM3N80 Si l i con N- Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 800 V HM3N80 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 3 A PD(TC=25) 75 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 4.0 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching c

Другие MOSFET... HM3N120F , HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , IRFP250 , HM3N90F , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D .

History: SMG2314NE | IPL65R190E6 | IPD068N10N3

 

 
Back to Top

 


 
.