HM3N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM3N90F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 15 nC
Tiempo de subida (tr): 14 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 5.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3N90F
HM3N90F Datasheet (PDF)
hm3n90f.pdf
HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit
hm3n90i.pdf
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