HM3N90F Todos los transistores

 

HM3N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3N90F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HM3N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn hmsemi
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HM3N90F

HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

 8.1. Size:914K  cn hmsemi
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HM3N90F

HM3N90ISilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 VHM3N90I, the silicon N-channel EnhancedID 3 APD(TC=25) 75 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

Otros transistores... HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , 20N50 , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D , HM40N10 .

History: PDQ3714 | BUZ100S | PDP3960

 

 
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