HM3N90F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM3N90F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15 nC
Время нарастания (tr): 14 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 5.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HM3N90F Datasheet (PDF)
hm3n90f.pdf
HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit
hm3n90i.pdf
HM3N90ISilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 VHM3N90I, the silicon N-channel EnhancedID 3 APD(TC=25) 75 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
