HM3N90F - аналоги и даташиты транзистора

 

HM3N90F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM3N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HM3N90F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn hmsemi
 hm3n90f.pdf pdf_icon

HM3N90F

HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

 8.1. Size:914K  cn hmsemi
 hm3n90i.pdf pdf_icon

HM3N90F

HM3N90ISilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 VHM3N90I, the silicon N-channel EnhancedID 3 APD(TC=25) 75 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

Другие MOSFET... HM3N150A , HM3N150F , HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , STP80NF70 , HM3N90I , HM3P10MR , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D , HM40N10 .

History: TPCC8104

 

 
Back to Top

 


 
.