Справочник MOSFET. HM3N90F

 

HM3N90F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM3N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для HM3N90F

 

 

HM3N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:951K  cn hmsemi
 hm3n90f.pdf

HM3N90F HM3N90F

HM3N90FSilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM3N90F, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFET, ID 3 A PD(TC=25) 30 W is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce RDS(ON)Typ 4.7 the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

 8.1. Size:914K  cn hmsemi
 hm3n90i.pdf

HM3N90F HM3N90F

HM3N90ISilicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 VHM3N90I, the silicon N-channel EnhancedID 3 APD(TC=25) 75 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AONR36368 | SGSP316

 

 
Back to Top