HM3P10MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM3P10MR
   Código: 3P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5(typ) V
   Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM3P10MR

HM3P10MR Datasheet (PDF)

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hm3p10mr.pdf

HM3P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS DR

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: WM15P10M2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: