HM3P10MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM3P10MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM3P10MR datasheet

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HM3P10MR

HM3P10MR -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS D R

Otros transistores... HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, TK10A60D, HM4030, HM4030D, HM40N04D, HM40N04K, HM40N06D, HM40N10, HM40N10K, HM40N10KA