HM3P10MR Todos los transistores

 

HM3P10MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM3P10MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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HM3P10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  cn hmsemi
 hm3p10mr.pdf pdf_icon

HM3P10MR

HM3P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS DR

Otros transistores... HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , IRFZ24N , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D , HM40N10 , HM40N10K , HM40N10KA .

History: 2SK3078 | IRFB3607 | WMN15N65C4 | INK0103AM1 | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T

 

 
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