HM3P10MR - аналоги и даташиты транзистора

 

HM3P10MR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM3P10MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM3P10MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3P10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  cn hmsemi
 hm3p10mr.pdf pdf_icon

HM3P10MR

HM3P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS DR

Другие MOSFET... HM3N25I , HM3N30PR , HM3N40PR , HM3N40R , HM3N70 , HM3N80 , HM3N90F , HM3N90I , 13N50 , HM4030 , HM4030D , HM40N04D , HM40N04K , HM40N06D , HM40N10 , HM40N10K , HM40N10KA .

History: IRF6619

 

 
Back to Top

 


 
.