HM3P10MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM3P10MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM3P10MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM3P10MR даташит

 ..1. Size:1201K  cn hmsemi
 hm3p10mr.pdf pdf_icon

HM3P10MR

HM3P10MR -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS D R

Другие IGBT... HM3N25I, HM3N30PR, HM3N40PR, HM3N40R, HM3N70, HM3N80, HM3N90F, HM3N90I, TK10A60D, HM4030, HM4030D, HM40N04D, HM40N04K, HM40N06D, HM40N10, HM40N10K, HM40N10KA