Справочник MOSFET. HM3P10MR

 

HM3P10MR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM3P10MR
   Маркировка: 3P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5(typ) V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.5 nC
   Время нарастания (tr): 6.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 29 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.21 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для HM3P10MR

 

 

HM3P10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1201K  cn hmsemi
 hm3p10mr.pdf

HM3P10MR HM3P10MR

HM3P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM3P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-3.0 A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top