HM40P06K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM40P06K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 100 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 60 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 89.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.023 Ohm

Paquete / Caja (carcasa): TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM40P06K

HM40P06K Datasheet (PDF)

..1. hm40p06k.pdf Size:357K _cn_hmsemi

HM40P06KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON)

8.1. hm40p04k.pdf Size:984K _cn_hmsemi

HM40P04KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P04K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gatecharge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON)

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Liste

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