HM40P06K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM40P06K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de HM40P06K MOSFET
HM40P06K PDF Specs
hm40p06k.pdf
HM40P06K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON) ... See More ⇒
hm40p04k.pdf
HM40P04K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P04K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON) ... See More ⇒
Otros transistores... HM40N10 , HM40N10K , HM40N10KA , HM40N15K , HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , IRF520 , HM4110 , HM4110T , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B .
History: CED630N
History: CED630N
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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