HM40P06K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM40P06K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для HM40P06K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM40P06K даташит

 ..1. Size:357K  cn hmsemi
 hm40p06k.pdf pdf_icon

HM40P06K

HM40P06K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON)

 8.1. Size:984K  cn hmsemi
 hm40p04k.pdf pdf_icon

HM40P06K

HM40P04K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P04K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON)

Другие IGBT... HM40N10, HM40N10K, HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, HM40P04K, IRF520, HM4110, HM4110T, HM4240, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302, HM4302B