Справочник MOSFET. HM40P06K

 

HM40P06K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM40P06K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 40 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 89.5 nC
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 450 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для HM40P06K

 

 

HM40P06K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:357K  cn hmsemi
hm40p06k.pdf

HM40P06K HM40P06K

HM40P06KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P06K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-60V,ID =-40A RDS(ON)

 8.1. Size:984K  cn hmsemi
hm40p04k.pdf

HM40P06K HM40P06K

HM40P04KP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM40P04K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gatecharge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDS =-40V,ID =-40A RDS(ON)

Другие MOSFET... P1503HV , P1504BDG , P1504BVG , P1504EDG , P1504EIS , P1504HV , P1510ATG , P1520ED , P55NF06 , P1603BEB , P1603BEBA , P1603BEBB , P1603BV , P1603BVA , P1604ED , P1604ET , P1604ETF .

 

 
Back to Top