HM4110 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4110  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM4110 datasheet

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HM4110

100VDS 25VGS 170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0V VGSS= 25V ID=1 0A RDS(ON)=5 m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage

 0.1. Size:556K  cn hmsemi
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HM4110

HM4110T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)

Otros transistores... HM40N10K, HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, HM40P04K, HM40P06K, IRF2807, HM4110T, HM4240, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302, HM4302B, 2SK68A