HM4110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4110

HM4110 Datasheet (PDF)

..1. Size:732K cn hmsemi
hm4110.pdf

100VDS25VGS170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0VVGSS=25VID=1 0A RDS(ON)=5 m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage

0.1. Size:556K cn hmsemi
hm4110t.pdf

HM4110TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: