HM4110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM4110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HM4110
HM4110 Datasheet (PDF)
hm4110.pdf
100VDS25VGS170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0VVGSS=25VID=1 0A RDS(ON)=5 m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage
hm4110t.pdf
HM4110TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM40N10K , HM40N10KA , HM40N15K , HM40N15KA , HM40N20 , HM40N20D , HM40P04K , HM40P06K , NCEP15T14 , HM4110T , HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A .
History: 4N40
History: 4N40
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
2sc536 | d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406



