HM4110 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM4110  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM4110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4110 даташит

 ..1. Size:732K  cn hmsemi
 hm4110.pdf pdf_icon

HM4110

100VDS 25VGS 170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0V VGSS= 25V ID=1 0A RDS(ON)=5 m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage

 0.1. Size:556K  cn hmsemi
 hm4110t.pdf pdf_icon

HM4110

HM4110T N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)

Другие IGBT... HM40N10K, HM40N10KA, HM40N15K, HM40N15KA, HM40N20, HM40N20D, HM40P04K, HM40P06K, IRF2807, HM4110T, HM4240, HM4260, HM4264, HM4264B, HM4302, HM4302B, 2SK68A