HM4110 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM4110
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 170 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
HM4110 Datasheet (PDF)
..1. hm4110.pdf Size:732K _cn_hmsemi
100VDS25VGS170A(ID) N-Channel Enha ncement Mode MOSFET Features Pin Description VDSS= 0VVGSS=25VID=1 0A RDS(ON)=5 m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Manage
0.1. hm4110t.pdf Size:556K _cn_hmsemi
HM4110TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4110T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =210A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF1405 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SVG104R5NS | SVG104R5NT | RX80N07 | GWM13S65YRX | GWM13S65YRY | GWM13S65YRD | GWM13S65YRE | DTM4415 | 2SK741 | YSF040N010T1A | YSK038N010T1A | YSP040N010T1A | ZM075N03D | KMK1265F | FNK6075K | CSD30N70