HCA60R150T Todos los transistores

 

HCA60R150T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCA60R150T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

 Búsqueda de reemplazo de HCA60R150T MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HCA60R150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  1
 hca60r150t.pdf pdf_icon

HCA60R150T

Jan 2016HCA60R150T600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 22 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche TestedQg, Typ 41 nCApplicationPackage & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS)TO-247 Uninterruptib

 8.1. Size:1113K  1
 hca60r040.pdf pdf_icon

HCA60R150T

 8.2. Size:406K  semihow
 hca60r290.pdf pdf_icon

HCA60R150T

Dec 2020HCA60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 12.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swit

Otros transistores... HM4240 , HM4260 , HM4264 , HM4264B , HM4302 , HM4302B , 2SK68A , CRJF390N65GC , NCEP15T14 , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 , STK0825F .

History: IRF7507PBF | SVF4N60CAMN | FDMS86250

 

 
Back to Top

 


 
.