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HCA60R150T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HCA60R150T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET HCA60R150T

 

Principales características: HCA60R150T

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HCA60R150T

Jan 2016 HCA60R150T 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 22 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.15 100% Avalanche Tested Qg, Typ 41 nC Application Package & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS) TO-247 Uninterruptib

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HCA60R150T

July 2020 HCA60R070F 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 42 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 70 m 100% Avalanche Tested Fast Recovery Time Qg, Typ 106 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit

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HCA60R150T

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HCA60R150T

Dec 2020 HCA60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 12.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-247 SYMBOL Swit

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History: HM4302B

 

 
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