Справочник MOSFET. HCA60R150T

 

HCA60R150T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCA60R150T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 41 nC
   trⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HCA60R150T

 

 

HCA60R150T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  1
 hca60r150t.pdf

HCA60R150T HCA60R150T

Jan 2016HCA60R150T600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) XQg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 22 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.15 100% Avalanche TestedQg, Typ 41 nCApplicationPackage & Internal Circuit Switch Mode Power Supply (SMPS)TO-247 Uninterruptib

 8.1. Size:1113K  1
 hca60r040.pdf

HCA60R150T HCA60R150T

 8.2. Size:406K  semihow
 hca60r290.pdf

HCA60R150T HCA60R150T

Dec 2020HCA60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 12.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.29 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-247 SYMBOL Swit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top