STK0825F Todos los transistores

 

STK0825F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STK0825F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de STK0825F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STK0825F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  1
 stk0825f.pdf pdf_icon

STK0825F

STK0825FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=250V(Min.) Low Crss : Crss=13pF(Typ.) Low gate charge : Qg=15nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=0.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0825F STK0825 TO-220F-3LOutline Dimensio

Otros transistores... HCA60R150T , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 , EMB04N03H , CS25N50AKR , HYG042N10NS1P , HYG042N10NS1B , SUP75N06-08 , SUB75N06-08 , HM4354 , HM4402A , HM4402B .

History: TPC8006-H | STH185N10F3-2 | HFP7N80 | KI8205T | FDPF44N25TRDTU

 

 
Back to Top

 


 
.