Справочник MOSFET. STK0825F

 

STK0825F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK0825F
   Маркировка: STK0825
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для STK0825F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK0825F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  1
 stk0825f.pdf pdf_icon

STK0825F

STK0825FSemiconductor Semiconductor Advanced Power MOSFETDC-DC CONVERTER APPLICATION HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS Features High Voltage: BVDSS=250V(Min.) Low Crss : Crss=13pF(Typ.) Low gate charge : Qg=15nC(Typ.) Low RDS(on) :RDS(on)=0.4(Max.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK0825F STK0825 TO-220F-3LOutline Dimensio

Другие MOSFET... HCA60R150T , MDP10N027TH , NVHL055N60S5F , OSG60R074HZF , OSG60R074FZF , SRC60R078BTF , SRC60R078BT , SRC60R078BS2 , EMB04N03H , CS25N50AKR , HYG042N10NS1P , HYG042N10NS1B , SUP75N06-08 , SUB75N06-08 , HM4354 , HM4402A , HM4402B .

History: TK8S06K3L

 

 
Back to Top

 


 
.