FDMC4435BZ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC4435BZ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: POWER33

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FDMC4435BZ datasheet

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FDMC4435BZ

September 2010 FDMC4435BZ P-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m Features General Description Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A been especially tailored to minimize the on-state resistance. This E

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FDMC4435BZ

FDMC4435BZ P-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited

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