FDMC4435BZ Todos los transistores

 

FDMC4435BZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMC4435BZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 46 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33
     - Selección de transistores por parámetros

 

FDMC4435BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  fairchild semi
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FDMC4435BZ

September 2010FDMC4435BZP-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m Features General Description Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance. This E

 ..2. Size:544K  onsemi
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FDMC4435BZ

FDMC4435BZP-Channel Power Trench MOSFET-30 V, -18 A, 20 mGeneral DescriptionFeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 ASemiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited

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History: HGN027N06S | PHT8N06LT | IXFR24N50Q | AONS32310 | GM8205D | AP040N03G | SML1004RAN

 

 
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