Справочник MOSFET. FDMC4435BZ

 

FDMC4435BZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMC4435BZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 46 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: POWER33
 

 Аналог (замена) для FDMC4435BZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC4435BZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  fairchild semi
 fdmc4435bz.pdf pdf_icon

FDMC4435BZ

September 2010FDMC4435BZP-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m Features General Description Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance. This E

 ..2. Size:544K  onsemi
 fdmc4435bz.pdf pdf_icon

FDMC4435BZ

FDMC4435BZP-Channel Power Trench MOSFET-30 V, -18 A, 20 mGeneral DescriptionFeaturesThis P-Channel MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 ASemiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 Abeen especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SDF9N100JEB-S | LSN65R380HT | 2SK3435-Z | 2SJ178

 

 
Back to Top

 


 
.