FDMC4435BZ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDMC4435BZ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: POWER33

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для FDMC4435BZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC4435BZ даташит

 ..1. Size:368K  fairchild semi
 fdmc4435bz.pdf pdf_icon

FDMC4435BZ

September 2010 FDMC4435BZ P-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m Features General Description Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A been especially tailored to minimize the on-state resistance. This E

 ..2. Size:544K  onsemi
 fdmc4435bz.pdf pdf_icon

FDMC4435BZ

FDMC4435BZ P-Channel Power Trench MOSFET -30 V, -18 A, 20 m General Description Features This P-Channel MOSFET is produced using ON Max rDS(on) = 20 m at VGS = -10 V, ID = -8.5 A Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 37 m at VGS = -4.5 V, ID = -6.3 A been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is well suited

Другие IGBT... FDMC2523P, FDMC2610, STS2620, FDMC2674, FDMC3020DC, STS2601, FDMC3612, STS2309A, IRF520, FDMC510P, FDMC5614P, FDMC6296, STS2308A, FDMC6675BZ, FDMC6679AZ, FDMC6890NZ, FDMC7570S