FDMC510P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMC510P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: POWER33

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FDMC510P datasheet

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FDMC510P

June 2010 FDMC510P P-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 m Features General Description Max rDS(on) = 8.0 m at VGS = -4.5 V, ID = -12 A This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 9.8 m at VGS = -2.5 V, ID = -10 A been optimized for rDS(ON), switching performance and Max rDS(on) =

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FDMC510P

September 2010 FDMC5614P tm P-Channel PowerTrench MOSFET -60V, -13.5A, 100m Features General Description Max rDS(on) = 100m at VGS = -10V, ID = -5.7A This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process. It has been Max rDS(on) = 135m at VGS = -4.5V, ID = -4.4A optimized for power management applications requiring a wi

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