Справочник MOSFET. FDMC510P

 

FDMC510P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMC510P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: POWER33
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC510P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  fairchild semi
 fdmc510p.pdf pdf_icon

FDMC510P

June 2010FDMC510PP-Channel PowerTrench MOSFET -20 V, -18 A, 8.0 mFeatures General Description Max rDS(on) = 8.0 m at VGS = -4.5 V, ID = -12 AThis P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advanced Power Trench process that has Max rDS(on) = 9.8 m at VGS = -2.5 V, ID = -10 Abeen optimized for rDS(ON), switching performance and Max rDS(on) =

 9.1. Size:506K  fairchild semi
 fdmc5614p.pdf pdf_icon

FDMC510P

September 2010FDMC5614PtmP-Channel PowerTrench MOSFET -60V, -13.5A, 100mFeatures General Description Max rDS(on) = 100m at VGS = -10V, ID = -5.7AThis P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process. It has been Max rDS(on) = 135m at VGS = -4.5V, ID = -4.4Aoptimized for power management applications requiring a wi

Другие MOSFET... FDMC2610 , STS2620 , FDMC2674 , FDMC3020DC , STS2601 , FDMC3612 , STS2309A , FDMC4435BZ , IRF9540N , FDMC5614P , FDMC6296 , STS2308A , FDMC6675BZ , FDMC6679AZ , FDMC6890NZ , FDMC7570S , FDMC7572S .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.