HM4468T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4468T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 290 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1352 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de HM4468T MOSFET
HM4468T Datasheet (PDF)
hm4468t.pdf
HM4468TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4468T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =290A RDS(ON)
Otros transistores... HM4447 , HM4449 , HM4450A , HM4452 , HM4453 , HM4453A , HM4453B , HM4454 , 2SK3878 , HM4480 , HM4482 , HM4484 , HM4485 , HM4485A , HM4485B , HM4486A , HM4486E .
History: FDC655AN
History: FDC655AN
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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