HM4468T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM4468T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 290 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 469 nC
Время нарастания (tr): 29.4 ns
Выходная емкость (Cd): 1352 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
Тип корпуса: TO247
HM4468T Datasheet (PDF)
..1. Size:622K cn hmsemi
hm4468t.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
hm4468t.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HM4468TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4468T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =290A RDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .