Справочник MOSFET. HM4468T

 

HM4468T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4468T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 290 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1352 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4468T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  cn hmsemi
hm4468t.pdfpdf_icon

HM4468T

HM4468TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4468T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =290A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STK0760P | WMJ38N60C2 | IRF741 | HM4410 | AO6804A | MCH6351 | NCE0224F

 

 
Back to Top

 


 
.