Справочник MOSFET. HM4468T

 

HM4468T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM4468T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 290 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 469 nC
   trⓘ - Время нарастания: 29.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1352 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для HM4468T

 

 

HM4468T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  cn hmsemi
 hm4468t.pdf

HM4468T HM4468T

HM4468TN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4468T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of other applications. General Features VDSS =100V,ID =290A RDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top