HM4490 Todos los transistores

 

HM4490 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4490

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HM4490 datasheet

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HM4490

HM4490 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4490 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =3.9A RDS(ON)

Otros transistores... HM4485A , HM4485B , HM4486A , HM4486E , HM4487 , HM4487A , HM4487B , HM4488 , 13N50 , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , HM45N06D , HM45P02D , HM45P02Q , HM45P03K , HM4606 .

History: APT10078SFLL | 2SK3595-01MR | MS70N03

 

 

 

 

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