HM4490 Todos los transistores

 

HM4490 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM4490
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.079 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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HM4490 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  cn hmsemi
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HM4490

HM4490N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4490 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =3.9A RDS(ON)

Otros transistores... HM4485A , HM4485B , HM4486A , HM4486E , HM4487 , HM4487A , HM4487B , HM4488 , TK10A60D , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , HM45N06D , HM45P02D , HM45P02Q , HM45P03K , HM4606 .

History: FTK7N65DD | BUK114-50L-S | SSPL2015

 

 
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