Справочник MOSFET. HM4490

 

HM4490 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4490
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.079 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HM4490

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4490 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:630K  cn hmsemi
 hm4490.pdf pdf_icon

HM4490

HM4490N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4490 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =3.9A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4485A , HM4485B , HM4486A , HM4486E , HM4487 , HM4487A , HM4487B , HM4488 , TK10A60D , HM4503 , HM45N02D , HM45N02Q , HM45N06D , HM45P02D , HM45P02Q , HM45P03K , HM4606 .

History: PPMT30V4 | AP10TN040P | 2SK3479 | SMIRF13N50T2TL | BLM07N06-D | IXFQ26N50P3 | 2SK3150L

 

 
Back to Top

 


 
.