HM4813 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4813
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4813

HM4813 Datasheet (PDF)

..1. Size:800K cn hmsemi
hm4813.pdf

HM4813Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1D2The HM4813 uses advanced trench technology to provide G1 G2excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -7A RDS(ON)

9.1. Size:511K cn hmsemi
hm4812.pdf

HM4812Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. Schematic diagram Genera Features VDS = 30V,ID = 7A RDS(ON)

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Liste

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