HM4813 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4813
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Encapsulados: SOP8
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HM4813 datasheet
hm4813.pdf
HM4813 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The HM4813 uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -7A RDS(ON)
hm4812.pdf
HM4812 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. Schematic diagram Genera Features VDS = 30V,ID = 7A RDS(ON)
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