HM4813. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HM4813
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HM4813
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HM4813 даташит
hm4813.pdf
HM4813 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The HM4813 uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = -30V,ID = -7A RDS(ON)
hm4812.pdf
HM4812 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4812 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge.This device is suitable for use as a load switch and PWM applications. Schematic diagram Genera Features VDS = 30V,ID = 7A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM4630D , HM4803 , HM4805A , HM4805B , HM4806A , HM4806B , HM4806C , HM4812 , STP65NF06 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , HM4830 .
History: IXFH30N60Q
History: IXFH30N60Q
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
mp38a | bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079


