HM4830 Todos los transistores

 

HM4830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM4830
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de HM4830 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM4830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  cn hmsemi
 hm4830.pdf pdf_icon

HM4830

HM4830Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4830 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =18A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM4813 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , IRFB7545 , HM4840 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 .

History: LSG60R280HT | HM4853 | HM4840 | LSG50R160HT | LSG60R240HT | TPD60R1K5MFD

 

 
Back to Top

 


 
.