HM4830 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4830
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de HM4830 MOSFET
HM4830 Datasheet (PDF)
hm4830.pdf

HM4830Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4830 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =18A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... HM4813 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , 8N60 , HM4840 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 .



Liste
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