HM4830 Todos los transistores

 

HM4830 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4830

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HM4830 datasheet

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HM4830

HM4830 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4830 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =18A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM4813 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , IRFB7545 , HM4840 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 .

History: HM4812 | SI3495DV | IPA60R600C6 | TSM70N10CP | FDZ197PZ | BUK663R5-30C | LSG70R380GT

 

 

 

 

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