Справочник MOSFET. HM4830

 

HM4830 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4830
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HM4830

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4830 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  cn hmsemi
 hm4830.pdf pdf_icon

HM4830

HM4830Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4830 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =18A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4813 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , 8N60 , HM4840 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 .

History: SI4100DY | IXKP13N60C5M | IXTA182N055T

 

 
Back to Top

 


 
.