HM4830 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM4830
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для HM4830
HM4830 Datasheet (PDF)
hm4830.pdf

HM4830Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4830 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =30V,ID =18A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... HM4813 , HM4821 , HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , IRF520 , HM4840 , HM4843 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 .
History: SWP090R08ET | 2SK3307 | AP86T03GJ | APT6011LVR | PA504EM | MMF60R290PTH | APT6035BVFRG
History: SWP090R08ET | 2SK3307 | AP86T03GJ | APT6011LVR | PA504EM | MMF60R290PTH | APT6035BVFRG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014 | a970 transistor