HM4843 Todos los transistores

 

HM4843 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM4843

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOP8

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HM4843 datasheet

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HM4843

HM4843 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The HM4843 uses advanced trench technology to G1 G2 provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch and battery protection applications. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = -40V,ID = -5.0A RDS(ON)

 9.1. Size:932K  cn hmsemi
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HM4843

HM4840 Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS =40V,ID =7.0A RDS(ON)

Otros transistores... HM4822 , HM4822B , HM4826 , HM4826A , HM4828 , HM4828A , HM4830 , HM4840 , K2611 , HM4853 , HM4853A , HM4853B , HM4884 , HM4884A , HM4885 , HM4885A , HM4886A .

History: SUM90N08-6M2P | UPA2211T1M | PZD502CYB | PT542BA | AOK18N65

 

 

 

 

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