Справочник MOSFET. HM4843

 

HM4843 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4843
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4843 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:730K  cn hmsemi
 hm4843.pdf pdf_icon

HM4843

HM4843Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description The HM4843 uses advanced trench technology to G1 G2provide excellent RDS(ON), This device is suitable for use as a load switch and battery protection applications. S1 S2Schematic diagram General Features VDS = -40V,ID = -5.0A RDS(ON)

 9.1. Size:932K  cn hmsemi
 hm4840.pdf pdf_icon

HM4843

HM4840Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM4840 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram VDS =40V,ID =7.0A RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: NCEP020N60GU | JCS5N50CT | STD20NF06 | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.