HM4963 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4963
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SOP8
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HM4963 datasheet
hm4963.pdf
HM4963 Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The HM4963 uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S1 S2 load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -7A RDS(ON)
Otros transistores... HM4892A , HM4892B , HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , IRFZ44 , HM4N10PR , HM4N150T , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F .
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