HM4963 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4963
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4963

HM4963 Datasheet (PDF)

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hm4963.pdf

HM4963Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description The HM4963 uses advanced trench technology to provide G1 G2excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S1 S2load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -7A RDS(ON)

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History: ITF86130SK8T

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: