Справочник MOSFET. HM4963

 

HM4963 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4963
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для HM4963

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4963 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  cn hmsemi
 hm4963.pdf pdf_icon

HM4963

HM4963Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1D2Description The HM4963 uses advanced trench technology to provide G1 G2excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a S1 S2load switch or in PWM applications. Schematic diagram General Features VDS = -20V,ID = -7A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM4892A , HM4892B , HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , IRFZ44 , HM4N10PR , HM4N150T , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F .

History: IXTA1R6N50D2 | IRFD9020PBF

 

 
Back to Top

 


 
.