HM4N10PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4N10PR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de HM4N10PR MOSFET
HM4N10PR Datasheet (PDF)
hm4n10pr.pdf
HM4N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)
Otros transistores... HM4892B , HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , HM4963 , IRF640 , HM4N150T , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I .
History: BRCS200N04DSC | HM4N150T | NTLUF4189NZTAG | NTD4856N-1G | WM06DN03DE | FDS6961A | NTLUS3A18PZ
History: BRCS200N04DSC | HM4N150T | NTLUF4189NZTAG | NTD4856N-1G | WM06DN03DE | FDS6961A | NTLUS3A18PZ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM610MN | AGM610M | AGM60P90D | AGM60P90A | AGM60P85E | AGM60P85D | AGM60P85AP | AGM60P40D | AGM60P40A | AGM60P35F | AGM60P30D | AGM60P30C | AGM60P30AP | AGM60P30A | AGM406MNQ | AGM406MNA
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