HM4N10PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM4N10PR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 20 nC
   Tiempo de subida (tr): 4 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 24 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4N10PR

HM4N10PR Datasheet (PDF)

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hm4n10pr.pdf

HM4N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)

9.1. Size:724K cn hmsemi
hm4n150t.pdf