Справочник MOSFET. HM4N10PR

 

HM4N10PR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4N10PR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для HM4N10PR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4N10PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn hmsemi
 hm4n10pr.pdf pdf_icon

HM4N10PR

HM4N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)

 9.1. Size:724K  cn hmsemi
 hm4n150t.pdf pdf_icon

HM4N10PR

HM4N150TN-Channel MOSFET Features 1500V,4A,Rds(on)

Другие MOSFET... HM4892B , HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , HM4963 , IRFP460 , HM4N150T , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I .

History: DH1K1N10E | STW12NK95Z | BSP317P | SVF7N60CT | CEB35P10 | 2SK3019A | RJK5033DPP-M0

 

 
Back to Top

 


 
.