Справочник MOSFET. HM4N10PR

 

HM4N10PR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM4N10PR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4N10PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:611K  cn hmsemi
 hm4n10pr.pdf pdf_icon

HM4N10PR

HM4N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)

 9.1. Size:724K  cn hmsemi
 hm4n150t.pdf pdf_icon

HM4N10PR

HM4N150TN-Channel MOSFET Features 1500V,4A,Rds(on)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SM8404CSQA | 2N6760JANTXV | RU7550S | STP20NM60FP | TK42A12N1 | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.