HM4N10PR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HM4N10PR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для HM4N10PR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HM4N10PR даташит
hm4n10pr.pdf
HM4N10PR N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM4N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 100V,ID = 4A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM4892B , HM4922 , HM4953 , HM4953A , HM4953B , HM4953C , HM4953D , HM4963 , IRF640 , HM4N150T , HM4N60 , HM4N60F , HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I .
History: HM4N60
History: HM4N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
mje15031 | irfp150n | mj15025 | mp1620 | kta1381 | bf494 | 2sc1885 | skd502t