HM4N90I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM4N90I
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 25.2 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 76 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM4N90I
HM4N90I Datasheet (PDF)
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HM4N90I General Description VDSS 900 V HM4N90I, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization
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