HM4N90I - аналоги и даташиты транзистора

 

HM4N90I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM4N90I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для HM4N90I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4N90I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:416K  cn hmsemi
 hm4n90i.pdf pdf_icon

HM4N90I

HM4N90I General Description VDSS 900 V HM4N90I, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization

Другие MOSFET... HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , HM4N70F , IRF9540 , HM5001 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D , HM50N06I .

History: AP9930AGM | DHESJ11N65

 

 
Back to Top

 


 
.