HM4N90I - описание и поиск аналогов

 

HM4N90I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM4N90I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для HM4N90I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM4N90I даташит

 ..1. Size:416K  cn hmsemi
 hm4n90i.pdf pdf_icon

HM4N90I

HM4N90I General Description VDSS 900 V HM4N90I, the silicon N-channel Enhanced ID 4 A PD(TC=25 ) 100 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 2.6 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization

Другие MOSFET... HM4N60I , HM4N60K , HM4N65 , HM4N65F , HM4N65I , HM4N65K , HM4N65R , HM4N70F , 2N7000 , HM5001 , HM50N03 , HM50N03I , HM50N03K , HM50N06 , HM50N06A , HM50N06D , HM50N06I .

History: FM200CD1D5B | IRL530NSPBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.