HM530 Todos los transistores

 

HM530 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM530
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HM530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  cn hmsemi
 hm530.pdf pdf_icon

HM530

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Otros transistores... HM50N20 , HM50N20D , HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , IRF4905 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K .

History: 2N5433 | UTD3055 | STB38N65M5 | FQT1N60CTFWS

 

 
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