HM530. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM530

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HM530

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM530 даташит

 ..1. Size:462K  cn hmsemi
 hm530.pdf pdf_icon

HM530

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Другие IGBT... HM50N20, HM50N20D, HM50P02K, HM50P03, HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, 5N65, HM55N03D, HM5853, HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K