Справочник MOSFET. HM530

 

HM530 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM530
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HM530

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM530 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  cn hmsemi
 hm530.pdf pdf_icon

HM530

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS =100V,ID =17A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM50N20 , HM50N20D , HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , 4435 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K .

History: MDV1595SURH | FQN1N50CTA | AM8N25-550D | CP650 | AM2373P | VBA3695 | VS3625GPMC

 

 
Back to Top

 


 
.