HM55N03D Todos los transistores

 

HM55N03D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM55N03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

 Búsqueda de reemplazo de HM55N03D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM55N03D datasheet

 ..1. Size:952K  cn hmsemi
 hm55n03d.pdf pdf_icon

HM55N03D

HM55N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM100N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =55A RDS(ON)

Otros transistores... HM50N20D, HM50P02K, HM50P03, HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, HM530, IRF1010E, HM5853, HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.