HM55N03D Todos los transistores

 

HM55N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM55N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de HM55N03D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM55N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  cn hmsemi
 hm55n03d.pdf pdf_icon

HM55N03D

HM55N03DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM100N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =55A RDS(ON)

Otros transistores... HM50N20D , HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , HM530 , IRF530 , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR .

History: IRF9952QPBF | IRHY7230CM | SHD230209 | FQD17P06TF | IRFZ10PBF

 

 
Back to Top

 


 
.