Справочник MOSFET. HM55N03D

 

HM55N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM55N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для HM55N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM55N03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  cn hmsemi
 hm55n03d.pdf pdf_icon

HM55N03D

HM55N03DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM100N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =55A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM50N20D , HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , HM530 , IRF530 , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR .

History: PNMDP600V4 | FQD30N06LTM | IRFU2405PBF | PSMN0R7-25YLD | IXTP20N65XM | APT6010B2LL

 

 
Back to Top

 


 
.