HM55N03D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM55N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для HM55N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM55N03D даташит

 ..1. Size:952K  cn hmsemi
 hm55n03d.pdf pdf_icon

HM55N03D

HM55N03D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM100N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =55A RDS(ON)

Другие IGBT... HM50N20D, HM50P02K, HM50P03, HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, HM530, IRF1010E, HM5853, HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR