HM55N03D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM55N03D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1350 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
Аналог (замена) для HM55N03D
HM55N03D Datasheet (PDF)
hm55n03d.pdf

HM55N03DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM100N03K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =55A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM50N20D , HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , HM530 , IRF530 , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR .
History: AM90N03-04I | HM50P03K | IPL65R099C7 | RJK0452DPB | VBZFB12P10
History: AM90N03-04I | HM50P03K | IPL65R099C7 | RJK0452DPB | VBZFB12P10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n3906 transistor equivalent | 2sc4883 | tip31a datasheet | d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet